我々は、ジメチルシラン[SiH₂(CH₃)₂; DMS]およびN₂をそれぞれSi源およびN源として用いたプラズマCVDにより、シリコン/窒素混入ダイヤモンドライクカーボン（Si-N-DLC） を堆積した。
我々は、Si-N-DLC膜の特性を、ヘキサメチルジシラザン[((CH₃)₃Si)₂NH; HMDS]をSi/N単一源として調製した膜の特性と比較した。
6.81％のN₂流量比で調製したSi-N-DLC（DMS + N₂）膜とHMDS流量比[HMDS/（HMDS + CH₄）] 2.27％で堆積したSi-N-DLC（HMDS）膜との間のSiおよびN留分にはほとんど差異がなかった。
Si-N-DLC（DMS + N₂）膜の内部応力は、Si-N-DLC（HMDS）膜の内部応力に比べて低下していることがわかった。
Si-N-DLC膜は、純粋なDLC膜よりもはるかに高い接着強度を示した。
我々は、Si-N-DLC（DMS + N₂）膜がSi-N-DLC（HMDS）膜よりも摩擦が低く、耐摩耗性が高いことを見出した。
Si-N-DLC（DMS + N₂）膜の摩耗率は、純粋なDLC膜の摩耗率とほぼ同じであった。