CH₄、N₂、及びArを用いたプラズマ化学気相成長法により堆積した窒素ドープダイヤモンドライクカーボン（N-DLC）膜の
構造と電気的、機械的、光学特性に対するNドーピングの効果を調査した。さらに、non-ドープDLC/ p型SiとN-DLC/ p型Siヘテロ接合を作製し、ヘテロ接合の電流 - 電圧特性を調べた。N₂流量比を0%から3.64％まで増加させたとき10⁵Ω・cmから10^-2Ω・cmへ抵抗率が著しく低下し、また内部応力も減少した。N₂流量比を3.64%から13.6％まで増加させたとき抵抗率は徐々に増加し、13.6％の時に再び減少した。これらの挙動は、sp²炭素のクラスタリングとsp³C-Nの形成、sp²C= N、sp¹C≡N、およびC-H_n結合の観点から説明できる。 3.64％で堆積したN-DLC膜を用いたヘテロ接合の整流比は、35.8±0.5Vであった。