透明基板上に真空蒸着された金属膜による赤外透過法における吸収増大現象が、金属膜形態に依存するのみならず、金属粒子の局所構造にも依存することは知られている。しかしながら、これまで、わずかな研究しか局所構造のこの現象への効果を調べていない。薄膜における体積分率の変化に伴う、島とギャップのサイズ分布は、薄膜の厚みの関数として走査型電子顕微鏡を使用することで測定された。シリコン基板に堆積したAgナノクラスター薄膜の局所構造は、Ag K‐エッジにおける全転換電子収量XAFS(X線吸収微細構造)法を使用することによって調査した。我々は、IR測定で評価された表面における電磁場強度と、XAFSによって評価された配位数との間の相関関係を観測した。我々は、フィルム形態が粒子の局所構造より遙かに大きな影響を共鳴および非共鳴寄与に与えることを発見した。