半導体表面における化学結合構造をキャラクタライズすることは、新しい表面処理方法を開発する上で非常に重要である。通常の赤外透過法に比べ感度が40程度高いAir Gap法は半導体のような高い屈折率を持つ物質の表面を測定するのに適している。吸収増大は、プリズムと半導体表面の間における、いわゆるOptical Cavity効果に起因する。この方法により、Si(100)表面, H-終端 Si(111) 表面, そして酸処理したGaAs(001) 表面における自然酸化膜の成長機構を解明した。