---

ﾊﾟﾗﾆﾄﾛ安息香酸でｺｰﾄされたｴｼｪﾚｯﾄ型銀回折格子からのﾗﾏﾝ散乱を入射ﾚｰｻﾞｰ光の入射角の関数として測定した。表面ﾌﾟﾗｽﾞﾓﾝﾎﾟﾗﾘﾄﾝの回折格子による励起を確認し、約5倍の散乱強度の増大を得た。ｓらに、50nmまで分子薄膜の膜厚を増加させてもｲｵﾝの散乱のみが現れることを明らかにした。