MHOPOB強誘電性液晶の表面安定化および非安定化カイラルスメクティックC相において透過法および表面プラズモンポラリトン法を用いて観測した。外部印可電位の周波数を変化させてバルクおよび電極近傍における応答性を明らかにした。特筆すべきは、バルク・電極近傍ともに双安定性を示すにも関わらず、最大追従周波数がバルクの方が大きく、電極近傍では界面からの配向効果の影響が現れていることを解明した。さらに、バルクで現れるメモリー効果が電極近傍には存在しないことを初めて見いだした。