赤外ATR法を用いてMHOPOB強誘電性液晶のカイラルスメクティックC相における配向性のセルギャップ厚依存性を評価した。この方法はプリズム側から約1ミクロ内における分子配向に及ぼすプリズムおよび対抗側基板からの影響を測定することが可能である。特に、パラレルラビング−ポリマー基板における結果を中心に、基板の配向効果と帰属について究明した。